Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=8 A, 3针, TO-220, IRF840LC系列

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100 - 150RMB10.929RMB546.45
200 - 450RMB10.692RMB534.60
500 +RMB10.184RMB509.20

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RS 库存编号:
919-4400
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220

系列

IRF840LC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

850mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

39nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

125W

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.41mm

高度

9.01mm

宽度

4.7mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MX

N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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