IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 66 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, HiperFET, Polar系列
- RS 库存编号:
- 920-0745
- 制造商零件编号:
- IXFN80N50P
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 管，共 10 件）*
¥2,533.55
(不含税)
¥2,862.91
(含税)
有库存
- 20 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB253.355 | RMB2,533.55 |
| 20 - 30 | RMB248.289 | RMB2,482.89 |
| 40 + | RMB243.321 | RMB2,433.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 920-0745
- 制造商零件编号:
- IXFN80N50P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 66A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | HiperFET, Polar | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 195nC | |
| 最大功耗 Pd | 700W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 宽度 | 25.07 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 66A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 HiperFET, Polar | ||
包装类型 SOT-227 | ||
安装类型 面板 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 195nC | ||
最大功耗 Pd 700W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 38.2mm | ||
高度 9.6mm | ||
宽度 25.07 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备