STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=35 A, 3针, TO-252, STripFET系列

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RS 库存编号:
920-8777
制造商零件编号:
STD30NF06LT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

35A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

STripFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

70W

最高工作温度

175°C

宽度

6.2mm

标准/认证

No

长度

6.6mm

高度

2.4mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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