STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 8.6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 920-8846
- 制造商零件编号:
- STP10NK70ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计(1 管,共 50 件)*
¥887.80
(不含税)
¥1,003.20
(含税)
有库存
- 另外 350 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB17.756 | RMB887.80 |
| 100 - 150 | RMB17.223 | RMB861.15 |
| 200 + | RMB16.707 | RMB835.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 920-8846
- 制造商零件编号:
- STP10NK70ZFP
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 850mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 最大功耗 Pd | 35W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8.6A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 850mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
最大功耗 Pd 35W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.6 mm | ||
长度 10.4mm | ||
高度 16.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
