DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=4.4 A, 4针, SOT-223, ZXMN6A11G系列

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922-8018
制造商零件编号:
ZXMN6A11GTA
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.4A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

ZXMN6A11G

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

950mV

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

3.9W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.7nC

最高工作温度

150°C

宽度

3.7mm

标准/认证

No

长度

6.7mm

高度

1.8mm

汽车标准

AEC-Q100

COO (Country of Origin):
DE

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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