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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB10.225 |
| 100 - 248 | RMB9.59 |
| 250 - 498 | RMB8.245 |
| 500 + | RMB7.715 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0734P
- 制造商零件编号:
- BTS3104SDRATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 电源开关拓扑 | 低侧 | |
| 电源开关类型 | 低侧 | |
| 开关接通电阻值 | 0.323Ω | |
| 最大工作电源电压 | 10 V | |
| 最大工作电流 | 2A | |
| 封装类型 | TO252 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
电源开关拓扑 低侧 | ||
电源开关类型 低侧 | ||
开关接通电阻值 0.323Ω | ||
最大工作电源电压 10 V | ||
最大工作电流 2A | ||
封装类型 TO252 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon HITFET 智能低侧电源开关是单通道低侧 MOSFET 电源开关,采用 PG-TO252-3-11 封装,提供嵌入式保护功能。该设备单片集成了 N 通道垂直功率 FET 和嵌入式保护功能。HITFET 智能低侧电源开关符合汽车标准,可用于 12V 和 24V 汽车和工业应用。
短路和过载保护
热关闭,带重启行为
ESD 保护
过电压保护
逻辑电平输入适用于 5V 和 3.3V
热关闭,带重启行为
ESD 保护
过电压保护
逻辑电平输入适用于 5V 和 3.3V