onsemi N沟道IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 2+Tab针, D2PAK (TO-263), 贴片安装

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包装方式：
RS 库存编号:
135-8687
制造商零件编号:
FGB40T65SPD_F085
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

267 W

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

通道类型

N

引脚数目

2+Tab

晶体管配置

单

尺寸

10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C

栅极电容

1520pF

汽车标准

AEC-Q101

汽车 IGBT，Fairchild Semiconductor


来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道 IGBT，已通过压力测试，并符合 AEC-Q101 标准。

特点


• 正温度系数易于并行操作
• 高电流容量
• 低饱和电压
• 高输入阻抗
• 收紧参数分布

RS 产品代码



864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 个）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 个）

注

所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。

标准

AEC-Q101


IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。