Infineon, BGA5H1BN6E6327XTSA1 射频放大器, 低噪声放大器, 6引脚 18.1 dB 2690 MHz, TSNP封装
- RS 库存编号:
- 258-0656
- 制造商零件编号:
- BGA5H1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0656
- 制造商零件编号:
- BGA5H1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 放大器类型 | 低噪声 | |
| 产品类型 | 射频放大器 | |
| 工作频率 | 2690 MHz | |
| 技术 | 硅锗 | |
| 增益 | 18.1dB | |
| 包装类型 | TSNP | |
| 最低电源电压 | 1.5V | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 噪声系数 | 1.2dB | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 三阶截点 OIP3 | -6dBm | |
| P1dB - 压缩点 | 60mW | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 系列 | BGA5H1BN6 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
放大器类型 低噪声 | ||
产品类型 射频放大器 | ||
工作频率 2690 MHz | ||
技术 硅锗 | ||
增益 18.1dB | ||
包装类型 TSNP | ||
最低电源电压 1.5V | ||
最大电源电压 3.6V | ||
引脚数目 6 | ||
噪声系数 1.2dB | ||
最低工作温度 -40°C | ||
三阶截点 OIP3 -6dBm | ||
P1dB - 压缩点 60mW | ||
最高工作温度 85°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
系列 BGA5H1BN6 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 高增益低噪声放大器,用于 LTE 高频带,使用低噪声放大器可显著提高 LTE 数据传输速率。集成 Bypass 功能
增加了整个系统动态范围,并导致射频前端更加灵活。在高增益模式下,LNA 提供最佳噪声图,即使在 LTE 电池边缘上也可确保高数据速率。更接近基站,可激活旁路模式,从而减少电流消耗。
低电流消耗 8.5 mA
多状态控制: Bypass 和高增益模式
超小型 TSNP-6-10 无引线封装
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数