- RS 库存编号 258-0670P
- 制造商零件编号 BGB707L7ESDE6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | - | - | - | - | - | - | 31.5dB | - | TSLP-7-1 | TSLP-7-1 | 1.8V | - | 4V | 100mW | - | 0.4dB | - | - | - | - | - | No | - | - |
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- RS 库存编号 228-6514
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 2.8V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 228-6514P
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 2.8V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 209-8055
- 制造商零件编号 nRF21540-QDAA-R7
| Nordic Semiconductor | 射频放大器 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 13dB | - | QFN-16 | QFN-16 | 1.7V | 16 | 3.6V | 21dBm | - | 2.5dB | - | -40°C | 105°C | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 228-6513
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
小计(1 卷,共 15000 件) RMB19,605.00(不含税)RMB1.307/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 2.8V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 258-0670
- 制造商零件编号 BGB707L7ESDE6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | - | - | - | - | - | - | 31.5dB | - | TSLP-7-1 | TSLP-7-1 | 1.8V | - | 4V | 100mW | - | 0.4dB | - | - | - | - | - | No | - | - |
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- RS 库存编号 258-0666
- 制造商零件编号 BGA729N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 16.3dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.3V | 60mW | -6dBm | 1.05dB | - | - | - | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 349-417
- 制造商零件编号 BGAP2D30AE6327XTSA1
| Infineon | 用于无线基础设施应用的前置驱动器 | - | - | - | BiCMOS | - | - | - | - | - | 35.2dB | - | TSNP-16 | TSNP-16 | 4.75V | 16 | 5.5V | - | 34.5dBm | 4.5dB | - | -40°C | 115°C | - | - | RoHS, JEDEC47/20/22 | - | 8mm |
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- RS 库存编号 349-418
- 制造商零件编号 BGAP2S20AE6327XTSA1
| Infineon | 用于无线基础设施应用的前置驱动器 | - | - | - | BiCMOS | - | - | - | - | - | 34.8dB | - | TSNP-16 | TSNP-16 | 4.75V | 16 | 5.5V | - | 34.2dBm | 4.3dB | - | -40°C | 115°C | - | - | JEDEC47/20/22, RoHS | - | 8mm |
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- RS 库存编号 349-416
- 制造商零件编号 BGAP2D20AE6327XTSA1
| Infineon | 用于无线基础设施应用的前置驱动器 | - | - | - | BiCMOS | - | - | - | - | - | 35.1dB | - | TSNP-16 | TSNP-16 | 4.75V | 16 | 5.5V | - | 34.3dBm | 4.7dB | - | -40°C | 115°C | - | - | RoHS, JEDEC47/20/22 | - | 8mm |
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- RS 库存编号 110-7475
- 制造商零件编号 BGA715N7E6327XTSA2
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Si | - | - | - | - | - | 20dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.5V | 7 | 3.6V | - | - | 0.7dB | - | -40°C | 85°C | - | - | No | 2mm | 0.35mm |
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- RS 库存编号 349-420
- 制造商零件编号 BGAP2S30AE6327XTSA1
| Infineon | 用于无线基础设施应用的前置驱动器 | - | - | - | BiCMOS | - | - | - | - | - | 35dB | - | TSNP-16 | TSNP-16 | 4.75V | 16 | 5.5V | - | 34.1dBm | 3.7dB | - | -40°C | 115°C | - | - | RoHS, JEDEC47/20/22 | - | 8mm |
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- RS 库存编号 233-3495
- 制造商零件编号 BGA9V1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 21dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 0.75dB | - | -30°C | 150°C | - | - | RoHS and WEEE | 1.1mm | 1.1mm |
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- RS 库存编号 258-0656
- 制造商零件编号 BGA5H1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.1dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.6V | 60mW | -6dBm | 1.2dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 258-0656P
- 制造商零件编号 BGA5H1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.1dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.6V | 60mW | -6dBm | 1.2dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 258-0666P
- 制造商零件编号 BGA729N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 16.3dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.3V | 60mW | -6dBm | 1.05dB | - | - | - | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 258-0663
- 制造商零件编号 BGA725L6E6327FTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 20dB | - | TSLP | TSLP | 1.5V | 6 | 3.6V | 72mW | -5dBm | 0.65dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 145-8914
- 制造商零件编号 BGA616H6327XTSA1
小计(1 卷,共 3000 件) RMB14,043.00(不含税)RMB4.681/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 宽带 MMIC | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | SOT-343 | SOT-343 | - | 4 | 4.5V | 18dBm | 29dBm | 2.6dB | - | -65°C | 150°C | - | - | No | 2mm | 0.8mm |
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- RS 库存编号 273-5226
- 制造商零件编号 BGA7L1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 13.6dB | 表面 | TSNP-6-2 | TSNP-6-2 | 1.5V | 6 | 3.6V | - | 5dBm | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | 1.1mm | 0.37mm |
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- RS 库存编号 228-6512P
- 制造商零件编号 BGA123N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 专利双极技术 | - | - | - | - | - | 21.2dB | - | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 3.3V | - | - | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |