Infineon 射频放大器, 低噪声放大器, 最大2690 MHz, 噪声系数1.2dB, 6引脚, 18.1 dB功率增益
- RS 库存编号:
- 258-0656P
- 制造商零件编号:
- BGA5H1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB2.369 |
| 100 - 240 | RMB2.274 |
| 250 - 490 | RMB2.206 |
| 500 + | RMB2.162 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0656P
- 制造商零件编号:
- BGA5H1BN6E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 放大器类型 | 低噪声 | |
| 典型功率增益 | 18.1 dB | |
| 典型输出功率 | 60mW | |
| 典型噪声系数 | 1.2dB | |
| 最大工作频率 | 2690 MHz | |
| 封装类型 | TSNP-6-10 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
放大器类型 低噪声 | ||
典型功率增益 18.1 dB | ||
典型输出功率 60mW | ||
典型噪声系数 1.2dB | ||
最大工作频率 2690 MHz | ||
封装类型 TSNP-6-10 | ||
引脚数目 6 | ||
Infineon 高增益低噪声放大器,用于 LTE 高频带,使用低噪声放大器可显著提高 LTE 数据传输速率。集成 Bypass 功能
增加了整个系统动态范围,并导致射频前端更加灵活。在高增益模式下,LNA 提供最佳噪声图,即使在 LTE 电池边缘上也可确保高数据速率。更接近基站,可激活旁路模式,从而减少电流消耗。
增加了整个系统动态范围,并导致射频前端更加灵活。在高增益模式下,LNA 提供最佳噪声图,即使在 LTE 电池边缘上也可确保高数据速率。更接近基站,可激活旁路模式,从而减少电流消耗。
低电流消耗 8.5 mA
多状态控制: Bypass 和高增益模式
超小型 TSNP-6-10 无引线封装
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数
多状态控制: Bypass 和高增益模式
超小型 TSNP-6-10 无引线封装
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数