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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB3.249 | RMB48.74 |
| 30 - 75 | RMB3.168 | RMB47.52 |
| 90 - 225 | RMB3.088 | RMB46.32 |
| 240 - 465 | RMB3.012 | RMB45.18 |
| 480 + | RMB2.937 | RMB44.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4790
- 制造商零件编号:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 封装类型 | atslp10-50 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 尺寸 | 1.1 x 1.5 x0.55mm | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
封装类型 atslp10-50 | ||
引脚数目 10 | ||
尺寸 1.1 x 1.5 x0.55mm | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon BGSX22G5A10 射频 mos 开关专为 lte 和 wcdma 多天线应用而设计。此双刀双掷提供低插入损耗和低谐波生成、并在射频端口之间实现高隔离。该开关通过 gpio 接口控制。片上控制器允许 1.65v 至 3.4v 的电源电压。
射频 cmos 双刀双掷天线交叉开关、功率处理能力高达 37 dbm
超低插入损耗和谐波生成
0.1 至 6.0 ghz 覆盖范围
高端口到端口隔离
如果 rf 线路上未应用直流、则无需去耦电容器
通用输入 - 输出（ gpio ）接口
小型设计： 1.1mm x 1.5mm
无需电源阻断
超低插入损耗和谐波生成
0.1 至 6.0 ghz 覆盖范围
高端口到端口隔离
如果 rf 线路上未应用直流、则无需去耦电容器
通用输入 - 输出（ gpio ）接口
小型设计： 1.1mm x 1.5mm
无需电源阻断