Infineon 同步SRAM, 1 MB, 104 MHz, 8每字组, 128K x 8 位, 16引脚, CY14B101PA系列

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RS 库存编号:
181-8270
制造商零件编号:
CY14B101PA-SFXI
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

存储器大小

1MB

产品类型

SRAM

字组数目

128k

每字组的位元数目

8

最长随机存取时间

15ns

位址总线宽

8Bit

最高时钟频率

104MHz

最低电源电压

2.4V

计时类型

同步

最大电源电压

2.6V

安装类型

表面

最低工作温度

-40°C

包装类型

SOIC

最高工作温度

85°C

引脚数目

16

系列

CY14B101PA

长度

10.49mm

标准/认证

No

高度

2.36mm

汽车标准

Cypress CY14X101PA 将 1 Mbit NV SRAM[1] 与全功能 RTC 结合在具有串行 SPI 接口的单片集成电路中。内存按 128K 字的形式组织,每个 8 位。嵌入式非易失性元件采用 Quantum Trap 技术,创造了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM 提供无限的读写周期、而 Quantum Trap 信元提供高度可靠的非易失性数据存储。从 SRAM 到非易失性元件(存储操作)的数据传输在断电时自动进行。开机时,数据从非易失性存储器恢复到 SRAM (调用操作)。您也可以通过 SPI 指令启动存储和调用操作。