制造商编号

Infineon SRAM, 8Mbit, 512K x 16, 最长20 ns, 25 ns, 45 ns

RS 库存编号:: 273-5253
制造商零件编号:: CY14B108N-ZSP45XI
制造商:: Infineon

Infineon SRAM, 8Mbit, 512K x 16, 最长20 ns, 25 ns, 45 ns

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RS 库存编号:: 273-5253
制造商零件编号:: CY14B108N-ZSP45XI
制造商:: Infineon

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Datasheet - CY14B108N-ZSP45XI

Infineon SRAM 是快速静态 RAM,每个存储电池中具有一个非挥发元件。存储器组织为 1024 K 字节,每个 8 位,或 512 K 字节,每个 16 位。嵌入式非挥发性元件包含量子陷阱技术,可产生世界上最可靠的非挥发性存储器。SRAM 提供无限的读取和写入循环,而独立的非挥发性数据位于高度可靠的量子陷阱电池中。从 SRAM 传输到非挥发元件的数据在关闭电源时自动发生。当电源接通时,数据将从非挥发性存储器恢复到 SRAM。STORE 和 RECALL 操作也在软件控制下提供。

无铅
符合 RoHS 标准
20 年数据保留
无限的读取写入和回忆循环
100 万次存储循环至 QuantumTrap
通过软件或电源启动回忆到 SRAM

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	8Mbit
	组织	512K x 16
	字组数目	512k
	每字组的位元数目	16Bit
	最长随机存取时间	20 ns, 25 ns, 45 ns

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 8Mbit
	组织 512K x 16
	字组数目 512k
	每字组的位元数目 16Bit
	最长随机存取时间 20 ns, 25 ns, 45 ns

Infineon SRAM, 8Mbit, 512K x 16, 最长20 ns, 25 ns, 45 ns

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。