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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 4 | RMB29.295 | RMB58.59 |
| 6 - 8 | RMB28.645 | RMB57.29 |
| 10 + | RMB27.785 | RMB55.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-3386
- 制造商零件编号:
- CY7C1049GN-10VXI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 4Mbit | |
| 组织 | 512k x 8 | |
| 字组数目 | 512k | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 10ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 4Mbit | ||
组织 512k x 8 | ||
字组数目 512k | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最长随机存取时间 10ns | ||
- COO (Country of Origin):
- US
CY7C1049GN 是高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备，由 512K 字 x 8 位组成。数据写入通过保持芯片使能 (CE) 执行和写入使能 (WE) 输入低，同时提供有关 I/O0 到 I/O7 的数据和 A0 到 A18 引脚的地址来执行。数据读取通过保持芯片使能 (CE) 执行和输出启用 (OE) 输入低，同时提供地址行的所需地址来执行。读取数据可在 I/O 线路（I/O0 到 I/O7）上访问。在以下事件中，所有 I/O（I/O0 到 I/O7）均处于高阻抗状态：取消选定设备（CE 高）控制信号 OE 终止。
高速
tAA = 10 ns
低有源电流和待机电流
有源电流：ICC = 38 mA（典型值）
待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）
工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和
4.5 V 至 5.5 V
1.0 V 数据保留
兼容 TTL 的输入和输出
无铅 36 引脚 SOJ 和 44 引脚 TSOP II 封装
tAA = 10 ns
低有源电流和待机电流
有源电流：ICC = 38 mA（典型值）
待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）
工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和
4.5 V 至 5.5 V
1.0 V 数据保留
兼容 TTL 的输入和输出
无铅 36 引脚 SOJ 和 44 引脚 TSOP II 封装