Infineon 异步SRAM, 4 MB, 8每字组, 512K x 16 位, 36引脚

RS 库存编号:: 182-3386
制造商零件编号:: CY7C1049GN-10VXI
制造商:: Infineon

Infineon 异步SRAM, 4 MB, 8每字组, 512K x 16 位, 36引脚

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RS 库存编号:: 182-3386
制造商零件编号:: CY7C1049GN-10VXI
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	SRAM
	存储器大小	4MB
	组织	512K x 16 位
	字组数目	512K
	每字组的位元数目	8
	最长随机存取时间	10ns
	计时类型	异步
	安装类型	表面
	包装类型	SOJ
	引脚数目	36
	长度	0.93mm
	宽度	0.4mm
	标准/认证	RoHS
	高度	0.12mm

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 SRAM
	存储器大小 4MB
	组织 512K x 16 位
	字组数目 512K
	每字组的位元数目 8
	最长随机存取时间 10ns
	计时类型异步
	安装类型表面
	包装类型 SOJ
	引脚数目 36
	长度 0.93mm
	宽度 0.4mm
	标准/认证 RoHS
	高度 0.12mm

COO (Country of Origin):: US

CY7C1049GN 是一款高性能 CMOS 快速静态 RAM 设备，其组织架构为512K字x8位。数据写入是通过将芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入置为低电平来实现的，同时在I/O0至I/O7引脚上提供数据，在A0至A18引脚上提供地址。数据读取操作通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）输入置为低电平，并在地址行上提供所需地址来完成。读取的数据可通过I/O线路（I/O0至I/O7）访问。在以下情况中，所有I/O端口（I/O0至I/O7）将进入高阻态：设备未被选中时（CE为高电平）或控制信号OE被撤销时。

tAA = 10 ns

低有源电流和待机电流

有源电流：ICC = 38 mA（典型值）

待机电流：ISB2 = 6 mA（典型值）

工作电压范围：1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和

4.5 至 5.5 V

1.0 V 数据保持

TTL兼容输入输出

无铅 36 针 SOJ 和 44 针 TSOP II 封装

Infineon 异步SRAM, 4 MB, 8每字组, 512K x 16 位, 36引脚

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