制造商编号

Renesas Electronics 异步SRAM, 256 kB, 16每字组, 16K x 16 位, 100引脚, 70V25系列

RS 库存编号:: 217-3658P
制造商零件编号:: 70V261L25PFGI
制造商:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 异步SRAM, 256 kB, 16每字组, 16K x 16 位, 100引脚, 70V25系列

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制造商零件编号:: 70V261L25PFGI
制造商:: Renesas Electronics

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Renesas Electronics
	存储器大小	256kB
	产品类型	SRAM
	组织	16K x 16 位
	字组数目	16k
	每字组的位元数目	16
	最长随机存取时间	25ns
	位址总线宽	32Bit
	计时类型	异步
	最低电源电压	3V
	安装类型	表面
	最大电源电压	3.6V
	包装类型	TQFP
	最低工作温度	-40°C
	引脚数目	100
	最高工作温度	85°C
	系列	70V25
	长度	14mm
	标准/认证	No
	高度	1.4mm
	宽度	14mm
	供应进气口螺纹性别	100mA
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Renesas Electronics
	存储器大小 256kB
	产品类型 SRAM
	组织 16K x 16 位
	字组数目 16k
	每字组的位元数目 16
	最长随机存取时间 25ns
	位址总线宽 32Bit
	计时类型异步
	最低电源电压 3V
	安装类型表面
	最大电源电压 3.6V
	包装类型 TQFP
	最低工作温度 -40°C
	引脚数目 100
	最高工作温度 85°C
	系列 70V25
	长度 14mm
	标准/认证 No
	高度 1.4mm
	宽度 14mm
	供应进气口螺纹性别 100mA
	汽车标准否

Datasheet - 70V261L25PFGI

Renesas Electronics 70V261 系列高速 16K x 16 双端口静态 ram 设计用作独立双端口 ram 或组合主 / 从双端口 ram 、用于 32 位或更广泛的存储系统应用。它具有 100 个引线计数、并具有 t那里的封装类型。

分开上字节和下字节控制

70V261 可轻松将数据总线宽度扩展至 32 位或更多

片上端口仲裁逻辑

端口之间信号信号的全片硬件支持

Renesas Electronics 异步SRAM, 256 kB, 16每字组, 16K x 16 位, 100引脚, 70V25系列

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