制造商编号

Alliance Memory 异步CMOS SRAM, 64 MB, 16每字组, 4M x 16 位, 48引脚, AS6C6416-55TIN系列

RS 库存编号:: 230-8467P
制造商零件编号:: AS6C6416-55TIN
制造商:: Alliance Memory

Alliance Memory 异步CMOS SRAM, 64 MB, 16每字组, 4M x 16 位, 48引脚, AS6C6416-55TIN系列

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制造商零件编号:: AS6C6416-55TIN
制造商:: Alliance Memory

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Alliance Memory
	产品类型	CMOS SRAM
	存储器大小	64MB
	组织	4M x 16 位
	字组数目	8K
	每字组的位元数目	16
	最长随机存取时间	55ns
	位址总线宽	16Bit
	最低电源电压	2.7V
	计时类型	异步
	最大电源电压	3.6V
	安装类型	表面
	包装类型	TSOP-48 I
	最低工作温度	-40°C
	引脚数目	48
	最高工作温度	85°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	12.10mm
	系列	AS6C6416-55TIN
	长度	20.20mm
	高度	1.20mm
	供应进气口螺纹性别	12mA
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Alliance Memory
	产品类型 CMOS SRAM
	存储器大小 64MB
	组织 4M x 16 位
	字组数目 8K
	每字组的位元数目 16
	最长随机存取时间 55ns
	位址总线宽 16Bit
	最低电源电压 2.7V
	计时类型异步
	最大电源电压 3.6V
	安装类型表面
	包装类型 TSOP-48 I
	最低工作温度 -40°C
	引脚数目 48
	最高工作温度 85°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 12.10mm
	系列 AS6C6416-55TIN
	长度 20.20mm
	高度 1.20mm
	供应进气口螺纹性别 12mA
	汽车标准否

Datasheet - AS6C6416-55TIN

Alliance Memory AS6C6416 是 67 ， 108 ， 864 位低功率 CMOS 静态随机存取存储器，由 4 ， 194 ， 304 字 x 16 位或 8 ， 388 ， 608 字 x 8 位组成。它采用高性能，高可靠性 CMOS 技术制成。其待机电流在工作温度范围内稳定。

完全静态操作

Alliance Memory 异步CMOS SRAM, 64 MB, 16每字组, 4M x 16 位, 48引脚, AS6C6416-55TIN系列

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