Renesas Electronics SRAM, 16kB, 2K x 8, 最长25ns
- RS 库存编号:
- 262-8970P
- 制造商零件编号:
- 6116LA25SOGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 24 | RMB45.02 |
| 25 - 49 | RMB44.12 |
| 50 - 99 | RMB43.24 |
| 100 + | RMB42.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-8970P
- 制造商零件编号:
- 6116LA25SOGI
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 内存大小 | 16kB | |
| 组织 | 2K x 8 | |
| 最长随机存取时间 | 25ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
内存大小 16kB | ||
组织 2K x 8 | ||
最长随机存取时间 25ns | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Renesas Electronics CMOS SRAM 组织为 2K x 8。 SRAM 提供降低功率的待机模式。低功率 (LA) 型号还提供电池备用数据保留功能,电路通常仅消耗 1μW 至 4μW,通过 2V 电池操作。所有输入和输出均与 TTL 兼容。使用完全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。提供军用级产品。
低功耗
电池备用操作 2V 数据保留电压
采用先进的 CMOS 高性能技术制造
CMOS 过程几乎消除了 alpha 微粒软错误率
输入和输出直接兼容 TTL
无需时钟或刷新
电池备用操作 2V 数据保留电压
采用先进的 CMOS 高性能技术制造
CMOS 过程几乎消除了 alpha 微粒软错误率
输入和输出直接兼容 TTL
无需时钟或刷新