Infineon SRAM, 8 MB, 512k x 16, 54引脚, 表面安装, TSOP, 最长45 ns
- RS 库存编号:
- 273-5254
- 制造商零件编号:
- CY14B108N-ZSP45XI
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5254
- 制造商零件编号:
- CY14B108N-ZSP45XI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 存储器大小 | 8MB | |
| 产品类型 | SRAM | |
| 组织 | 512k x 16 | |
| 字组数目 | 512K | |
| 每字组的位元数目 | 16 | |
| 最长随机存取时间 | 45ns | |
| 最低电源电压 | 0.5V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大电源电压 | 4.1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 引脚数目 | 54 | |
| 高度 | 10.26mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | CY14B108N | |
| 宽度 | 1.05 mm | |
| 长度 | 22.52mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
存储器大小 8MB | ||
产品类型 SRAM | ||
组织 512k x 16 | ||
字组数目 512K | ||
每字组的位元数目 16 | ||
最长随机存取时间 45ns | ||
最低电源电压 0.5V | ||
安装类型 表面 | ||
最大电源电压 4.1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
包装类型 TSOP | ||
最高工作温度 85°C | ||
引脚数目 54 | ||
高度 10.26mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 CY14B108N | ||
宽度 1.05 mm | ||
长度 22.52mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon SRAM 是快速静态 RAM,每个存储电池中具有一个非挥发元件。存储器组织为 1024 K 字节,每个 8 位,或 512 K 字节,每个 16 位。嵌入式非挥发性元件包含量子陷阱技术,可产生世界上最可靠的非挥发性存储器。SRAM 提供无限的读取和写入循环,而独立的非挥发性数据位于高度可靠的量子陷阱电池中。从 SRAM 传输到非挥发元件的数据在关闭电源时自动发生。当电源接通时,数据将从非挥发性存储器恢复到 SRAM。STORE 和 RECALL 操作也在软件控制下提供。
无铅
符合 RoHS 标准
20 年数据保留
无限的读取写入和回忆循环
100 万次存储循环至 QuantumTrap
通过软件或电源启动回忆到 SRAM