ISSI 异步SRAM, 8Mbit, 512k x 16 位, 44针, 贴片安装, TSOP, 最长55ns
- RS 库存编号:
- 811-5223P
- 制造商零件编号:
- IS62WV51216BLL-55TLI
- 制造商:
- ISSI
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- 811-5223P
- 制造商零件编号:
- IS62WV51216BLL-55TLI
- 制造商:
- ISSI
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ISSI | |
| 内存大小 | 8Mbit | |
| 组织 | 512k x 16 位 | |
| 字组数目 | 512k | |
| 每字组的位元数目 | 16Bit | |
| 最长随机存取时间 | 55ns | |
| 位址总线宽 | 19Bit | |
| 低功耗 | 是 | |
| 计时类型 | 异步 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 尺寸 | 18.52 x 10.29 x 1.05mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 18.52mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最小工作电源电压 | 2.5 V | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 宽度 | 10.29mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ISSI | ||
内存大小 8Mbit | ||
组织 512k x 16 位 | ||
字组数目 512k | ||
每字组的位元数目 16Bit | ||
最长随机存取时间 55ns | ||
位址总线宽 19Bit | ||
低功耗 是 | ||
计时类型 异步 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 TSOP | ||
引脚数目 44 | ||
尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
高度 1.05mm | ||
长度 18.52mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最小工作电源电压 2.5 V | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
宽度 10.29mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
静态RAM，ISSI
ISSI静态RAM产品采用高性能的CMOS技术。静态RAM种类繁多，包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗型异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。ISSI SRAM器件有多种电压、内存大小和不同的组织。它们适用于CPU高速缓存存储器，嵌入式处理器，硬盘驱动器以及工业电子开关等应用。
电源：1.8v/3.3v/12mm5V
提供的封装：bga、soj、sop、stssop、tsop
提供配置选项：x8和x16
ecc功能可用于高速异步随机存物
提供的封装：bga、soj、sop、stssop、tsop
提供配置选项：x8和x16
ecc功能可用于高速异步随机存物
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
SRAM（静态随机存取存储器）