- RS 库存编号 228-6514
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 6 | 3.3V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 258-0655
- 制造商零件编号 BGA5H1BN6E6327XTSA1
小计(1 卷,共 12000 件) RMB27,744.00(不含税)RMB2.312/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.1dB | - | TSNP | - | 1.5V | 6 | 3.6V | 60mW | -6dBm | 1.2dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 253-9812P
- 制造商零件编号 BGSX33M5U16E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 表面 | PG-ULGA-16 | - | - | 17 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS/WEEE | - | - |
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- RS 库存编号 273-5225
- 制造商零件编号 BGA7L1BN6E6327XTSA1
小计(1 卷,共 15000 件) RMB32,745.00(不含税)RMB2.183/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 13.6dB | 表面 | TSNP-6-2 | - | 1.5V | 6 | 3.6V | - | 5dBm | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | 1.1mm | 0.37mm |
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- RS 库存编号 233-3494
- 制造商零件编号 BGA9V1MN9E6327XTSA1
小计(1 卷,共 12000 件) RMB42,168.00(不含税)RMB3.514/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 21dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 0.75dB | - | -30°C | 150°C | - | - | RoHS and WEEE | 1.1mm | 1.1mm |
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- RS 库存编号 233-3495
- 制造商零件编号 BGA9V1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 21dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 0.75dB | - | -30°C | 150°C | - | - | RoHS and WEEE | 1.1mm | 1.1mm |
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- RS 库存编号 233-3492
- 制造商零件编号 BGA9C1MN9E6327XTSA1
小计(1 卷,共 12000 件) RMB39,828.00(不含税)RMB3.319/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 1dB | - | -30°C | 150°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 258-0652P
- 制造商零件编号 BGA123L4E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.2dB | - | TSLP | - | 1.1V | 4 | 3.6V | -17dBm | -14dBm | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | 0.7mm | 0.31mm |
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- RS 库存编号 258-0670P
- 制造商零件编号 BGB707L7ESDE6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | - | - | - | - | - | - | 31.5dB | - | TSLP-7-1 | - | 1.8V | - | 4V | 100mW | - | 0.4dB | - | - | - | - | - | No | - | - |
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- RS 库存编号 898-6933
- 制造商零件编号 BGA616H6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 宽带 MMIC | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | SOT-343 | - | - | 4 | 4.5V | 18dBm | 29dBm | 2.6dB | - | -65°C | 150°C | - | - | No | 2mm | 0.8mm |
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- RS 库存编号 825-9064P
- 制造商零件编号 BGA614H6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 宽带 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19.8dB | 表面 | SOT-343 | - | - | 4 | 3V | 12dBm | 25dBm | 2.1dB | - | -65°C | 150°C | - | - | No | 2mm | 0.8mm |
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- RS 库存编号 233-3493
- 制造商零件编号 BGA9C1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 1dB | - | -30°C | 150°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 258-0666P
- 制造商零件编号 BGA729N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 16.3dB | - | TSNP | - | 1.5V | 6 | 3.3V | 60mW | -6dBm | 1.05dB | - | - | - | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 258-0663P
- 制造商零件编号 BGA725L6E6327FTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 20dB | - | TSLP | - | 1.5V | 6 | 3.6V | 72mW | -5dBm | 0.65dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 898-6933P
- 制造商零件编号 BGA616H6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 宽带 MMIC | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | SOT-343 | - | - | 4 | 4.5V | 18dBm | 29dBm | 2.6dB | - | -65°C | 150°C | - | - | No | 2mm | 0.8mm |
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- RS 库存编号 166-0864
- 制造商零件编号 BGA715N7E6327XTSA2
小计(1 卷,共 7500 件) RMB32,887.50(不含税)RMB4.385/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Si | - | - | - | - | - | 20dB | 表面 | TSNP | - | 1.5V | 7 | 3.6V | - | - | 0.7dB | - | -40°C | 85°C | - | - | No | 2mm | 0.35mm |
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- RS 库存编号 228-6514P
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 6 | 3.3V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 233-3495P
- 制造商零件编号 BGA9V1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 21dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 0.75dB | - | -30°C | 150°C | - | - | RoHS and WEEE | 1.1mm | 1.1mm |
|
- RS 库存编号 258-0656P
- 制造商零件编号 BGA5H1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.1dB | - | TSNP | - | 1.5V | 6 | 3.6V | 60mW | -6dBm | 1.2dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
|
- RS 库存编号 233-3493P
- 制造商零件编号 BGA9C1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | TSNP | - | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 1dB | - | -30°C | 150°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |