- RS 库存编号 258-0666P
- 制造商零件编号 BGA729N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1000 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 16.3dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.3V | 60mW | -6dBm | 1.05dB | - | - | - | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 258-0656
- 制造商零件编号 BGA5H1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 2690 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.1dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.6V | 60mW | -6dBm | 1.2dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 349-417
- 制造商零件编号 BGAP2D30AE6327XTSA1
| Infineon | 用于无线基础设施应用的前置驱动器 | 4200 MHz | - | - | BiCMOS | - | - | - | - | - | 35.2dB | - | TSNP-16 | TSNP-16 | 4.75V | 16 | 5.5V | - | 34.5dBm | 4.5dB | - | -40°C | 115°C | - | - | RoHS, JEDEC47/20/22 | - | 8mm |
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- RS 库存编号 258-0663
- 制造商零件编号 BGA725L6E6327FTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1615 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 20dB | - | TSLP | TSLP | 1.5V | 6 | 3.6V | 72mW | -5dBm | 0.65dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 258-0666
- 制造商零件编号 BGA729N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1000 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 16.3dB | - | TSNP | TSNP | 1.5V | 6 | 3.3V | 60mW | -6dBm | 1.05dB | - | - | - | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 273-5226
- 制造商零件编号 BGA7L1BN6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 13.6dB | 表面 | TSNP-6-2 | TSNP-6-2 | 1.5V | 6 | 3.6V | - | 5dBm | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | 1.1mm | 0.37mm |
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- RS 库存编号 228-6512
- 制造商零件编号 BGA123N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1615 MHz | 低噪声 | - | 专利双极技术 | - | - | - | - | - | 21.2dB | - | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 3.3V | - | - | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | 0.7 mm | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 228-6513
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
小计(1 卷,共 15000 件) RMB22,185.00(不含税)RMB1.479/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 3.3V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |
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- RS 库存编号 248-4228
- 制造商零件编号 NJG1143UA2-TE1
| Nisshinbo Micro Devices | 射频放大器 | - | - | - | GaAS | - | - | - | - | - | 20dB | 表面 | EPFFP-A2 | EPFFP-A2 | 1.5V | 6 | 3.6V | - | - | 0.7dB | - | -40°C | 105°C | - | 1mm | No | 1mm | 0.37mm |
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- RS 库存编号 233-3493P
- 制造商零件编号 BGA9C1MN9E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 19dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 1dB | - | -30°C | 150°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 209-8054
- 制造商零件编号 nRF21540-QDAA-R7
小计(1 卷,共 1500 件) RMB19,822.50(不含税)RMB13.215/件 | Nordic Semiconductor | 射频放大器 | 2.4 GHz | - | - | - | - | - | - | - | - | 13dB | - | QFN-16 | QFN-16 | 1.7V | 16 | 3.6V | 21dBm | - | 2.5dB | - | -40°C | 105°C | - | - | RoHS | - | - |
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- RS 库存编号 258-0652P
- 制造商零件编号 BGA123L4E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1615 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 18.2dB | - | TSLP | TSLP | 1.1V | 4 | 3.6V | -17dBm | -14dBm | 0.75dB | - | -40°C | 85°C | - | 0.7 mm | JEDEC47/20/22 | 0.7mm | 0.31mm |
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- RS 库存编号 252-8519
- 制造商零件编号 LMH5401IRMST
小计(1 卷,共 250 件) RMB34,145.25(不含税)RMB136.581/件 | Texas Instruments | 射频放大器 | - | 差分 | - | - | - | - | - | - | - | 6dB | 表面 | UQFN | UQFN | 3.15V | 14 | 5.25V | 275mW | - | 9.6dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS | 2.6mm | 0.6mm |
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- RS 库存编号 253-9811
- 制造商零件编号 BGSX33M5U16E6327XTSA1
小计(1 卷,共 4500 件) RMB23,913.00(不含税)RMB5.314/件 | Infineon | 射频放大器 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 表面 | PG-ULGA-16 | PG-ULGA-16 | - | 17 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS/WEEE | - | - |
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- RS 库存编号 233-3494
- 制造商零件编号 BGA9V1MN9E6327XTSA1
小计(1 卷,共 12000 件) RMB42,168.00(不含税)RMB3.514/件 | Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | SiGe | - | - | - | - | - | 21dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 9 | 2.2V | - | -7dBm | 0.75dB | - | -30°C | 150°C | - | - | RoHS and WEEE | 1.1mm | 1.1mm |
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- RS 库存编号 258-0670P
- 制造商零件编号 BGB707L7ESDE6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 5.6 GHz | 低噪声 | - | - | - | - | - | - | - | 31.5dB | - | TSLP-7-1 | TSLP-7-1 | 1.8V | - | 4V | 100mW | - | 0.4dB | - | - | - | - | - | No | - | - |
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- RS 库存编号 258-0668P
- 制造商零件编号 BGA855N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | 1300 MHz | 低噪声 | - | 硅锗 | - | - | - | - | - | 17.8dB | - | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 3.3V | 60mW | 0dBm | 1.1dB | - | -40°C | 85°C | - | - | JEDEC47/20/22 | - | - |
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- RS 库存编号 253-9812P
- 制造商零件编号 BGSX33M5U16E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 表面 | PG-ULGA-16 | PG-ULGA-16 | - | 17 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | RoHS/WEEE | - | - |
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- RS 库存编号 241-2867P
- 制造商零件编号 NJG1159PHH-TE1
| Nisshinbo Micro Devices | GPS 前端模块 | - | 低噪声 | - | GaAS | - | - | - | - | - | 16dB | 表面 | HFFP10-HH | HFFP10-HH | 1.5V | 10 | 3.3V | - | - | 1.7dB | - | -40°C | 105°C | - | - | RoHS | 1.5mm | 0.5mm |
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- RS 库存编号 228-6514P
- 制造商零件编号 BGA125N6E6327XTSA1
| Infineon | 射频放大器 | - | 低噪声 | - | Infineon专利双极技术 | - | - | - | - | - | 22.2dB | 表面 | TSNP | TSNP | 1.1V | 6 | 3.3V | - | 14dBm | 0.8dB | - | -40°C | 85°C | - | - | RoHS/WEEE | 1.1mm | 0.375mm |