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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB12.581 | RMB10,064.80 |
| 4000 + | RMB12.329 | RMB9,863.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7398
- 制造商零件编号:
- FQB5N90TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 158 W | |
| 引脚数目 | 2 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 158 W | ||
引脚数目 2 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用专有平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制，可降低电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
5.4A 、 900V 、 RDS （开） =2.3 Ω （最大） @VGS =10V ， ID =2.7A
低栅电荷（典型值） 31 常闭）
低 CMSS （典型 13 pF ）
应用
照明
低栅电荷（典型值） 31 常闭）
低 CMSS （典型 13 pF ）
应用
照明