可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 卷,共 3000 件)*
RMB4,815.00
(不含税)
RMB5,442.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年1月13日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB1.605 | RMB4,815.00 |
| 15000 + | RMB1.573 | RMB4,719.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7200
- 制造商零件编号:
- NTGD4167CT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 数字晶体管 | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 晶体管极性 | 互补型 N 沟道与 P 沟道 | |
| 最大功耗 Pd | 1.1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 宽度 | 3mm | |
| 系列 | NTGD4167C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 数字晶体管 | ||
包装类型 TSOP | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 双 | ||
晶体管极性 互补型 N 沟道与 P 沟道 | ||
最大功耗 Pd 1.1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 6 | ||
宽度 3mm | ||
系列 NTGD4167C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
功率 MOSFET ,辅助, 30V , +2.9/-2.2 A , TSOP-6 双路
补充 N 通道和 P 通道 MOSFET
小尺寸 (3x3mm) 双 TSOP-6 封装
先进的沟道技术,可实现低导通电阻
降低浇口电荷以改善开关响应
独立连接的设备,提供设计灵活性
应用
直流 - 直流转换电路
带电平转换的负载 / 功率切换
最终产品
手机, PMP , DSC , GPS ,便携式视频游戏, PC ,打印机,外设, DTV ,机 TOP Box 以及其他计算和数字消费产品
相关链接
- onsemi 互补型 N 沟道与 P 沟道套件, 6针, TSOP, NTGD4167C系列
- onsemi N 沟道和 P 沟道套件, 8针, ChipFET, NTHD3100C系列
- Microchip , 1 P-通道, N沟道 独立 N 沟道与 P 沟道 Mosfet 增强型 MOSFET 阵列, 2.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TC2320系列, TC2320TG-G
- Microchip , 1 N沟道, P-通道沟道 电隔离 N 沟道与 P 沟道对(2 对) 增强型 MOSFET 阵列, Vds=200 V, 1.8 A, DFN, 表面安装, 12引脚, TC7920系列, TC7920K6-G
- Microchip , 1 P-通道, N沟道 互补对 增强型 MOSFET 阵列, Vds=200 V, 2 A, VDFN, 表面安装, 8引脚, TC6320系列, TC6320K6-G
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, 5.5 A, TSOP, 6引脚
- onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.65 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, NTF系列
- onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 2.9 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, NTGS系列
