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¥5,427.00
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最后的 RS 库存
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB1.809 | RMB5,427.00 |
| 15000 + | RMB1.773 | RMB5,319.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7382
- 制造商零件编号:
- FDMA420NZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大功耗 Pd | 2.4W | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大功耗 Pd 2.4W | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 6 | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 0.8mm | ||
长度 2mm | ||
宽度 2 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
此单 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工艺设计，可优化特殊 MicroFET 导线框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。
RDS (on) =30m Ω @VGS =4.5 V ，识别号 =5.7A
RDS (on) =40 M Ω @VGS =2.5 V ， ID =5.0A
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封装 MicroFET 2x2mm
HBM ESD 保护级别 2.5K V （典型）（注释 3 ）
无卤化合物和锑氧化物
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。