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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB35.632 | RMB178.16 |
| 10 - 10 | RMB34.562 | RMB172.81 |
| 15 + | RMB33.522 | RMB167.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8132
- 制造商零件编号:
- FDA59N30
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最大功耗 Pd | 500W | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | UniFETTM | |
| 长度 | 16.2mm | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 高度 | 18.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最大功耗 Pd 500W | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 UniFETTM | ||
长度 16.2mm | ||
宽度 5 mm | ||
高度 18.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
UnifetTM MOSFET 是一种基于平面条带和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 经过专门设计，可降低电阻，并提供更佳的开关性能和更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关整流器应用，例如功率因数校正 (PFC) 、平板显示器 (FPD) 电视电源、 ATX 和电子灯镇流器。
RDS (on) =56 M Ω （最大值） @VGS =10 V ， ID =29.5 A
低栅电荷（典型值） 77 NC ）
低 CMSS （典型 80 pF ）
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。