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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB6.14 | RMB61.40 |
| 750 - 1490 | RMB5.955 | RMB59.55 |
| 1500 + | RMB5.776 | RMB57.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8543
- 制造商零件编号:
- FDMB3800N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 4.8A | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 1.9 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 双 | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最大连续集电极电流 Ic 4.8A | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 8 | ||
长度 3mm | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 1.9 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这些 N 通道逻辑电平 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，因为这些应用需要低线内功耗和快速开关。
最大 RDS (on) =40 M Ω ， VGS =10 V ， ID =4.8A
最大 RDS (on) =51 M Ω ， VGS =4.5 V ， ID =4.3 A
快速切换速度
栅电荷低
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。