onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=57.8 A, 8针, WDFN, NVTFS010N10MCL系列

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RS 库存编号:
195-2553
制造商零件编号:
NVTFS010N10MCLTAG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

57.8A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

WDFN

系列

NVTFS010N10MCL

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

15.9mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

77.8W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

3.3mm

高度

0.75mm

宽度

3.15mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

汽车功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。

体积小巧 (3 x 3 mm)

紧凑设计

低接通电阻

最大限度地减少传导损耗

低电容

最大限度地减少驱动器损耗

支持 PPAP

适用于汽车应用

应用

反向器电池保护

电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）

开关电源

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