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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | RMB3.119 | RMB62.38 |
| 640 - 1240 | RMB3.025 | RMB60.50 |
| 1260 + | RMB2.935 | RMB58.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 464-136
- 制造商零件编号:
- MJD31CT4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最大功率耗散 | 1560 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.38 x 6.73 x 6.22mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-基极电压 100 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最大功率耗散 1560 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm | ||
ON Semiconductor NPN 晶体管
标准
带有 NSV 前缀的制造商产品编号符合 AEC-Q101 标准的汽车认证要求。