STMicroelectronics NPN达林顿晶体管, Ic=8 A, VCEO=100 V, hFE=100, Pd=20 W, 1路, TO-252, MJD122系列

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RS 库存编号:
165-7778
制造商零件编号:
MJD122T4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

达林顿晶体管

最大连续集电极电流 Ic

8A

最大集电极-发射极电压 Vceo

100V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

最小直流电流增益 hFE

100

晶体管极性

NPN

最大集电极-基极电压 VCBO

100V

最大功耗 Pd

20W

最大发射极-基极电压 VEBO

5V

最低工作温度

-65°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最高工作温度

150°C

系列

MJD122

标准/认证

No

长度

6.6mm

高度

2.4mm

最大集电极-基极截止电流

10μA

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY

NPN 复合晶体管,STMicroelectronics


双极晶体管,STMicroelectronics(意法半导体)


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