onsemi 达林顿晶体管, 2 A, 每片1芯片, IPAK封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=100 V, HFE=1000
- RS 库存编号:
- 790-5315
- 制造商零件编号:
- MJD112-1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB5.771 | RMB86.57 |
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| 45 + | RMB5.43 | RMB81.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5315
- 制造商零件编号:
- MJD112-1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 2A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 1000 | |
| 最大功耗 Pd | 20W | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 系列 | MJD112 | |
| 高度 | 6.35mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 20μA | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 2A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 1000 | ||
最大功耗 Pd 20W | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
系列 MJD112 | ||
高度 6.35mm | ||
最大集电极-基极截止电流 20μA | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
on ON Semiconductor MJD112 是补充达林顿功率晶体管、设计用于开关调节器、转换器和功率放大器等应用中的通用电源和开关、如输出或驱动级。
直向引线型号、采用塑料套管
这些设备无铅且符合 rohs 标准