Infineon 256Kbit FRAM, 28p, 并行接口, 最长随机存取70ns, SOIC封装, 32K x 8 位

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。

非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗

256-Kbit FerroElectric 随机存取存储器 (F-RAM) 按逻辑组织为 32K x 8
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
SRAM 和 EEPROM 兼容
工业标准 32K x 8 SRAM 和 EEPROM 引脚
70ns 访问时间， 130ns 周期时间
优于电池供电的 SRAM 模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面安装解决方案，无需再加工步骤
适用于潮湿，撞击和振动
抗负电压下射
低功耗
有源电流 12 mA （最大）
待机电流 20 μ A （典型值）
宽电压操作： VDD = 2.7V 至 5.5V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
28 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。