Infineon 256Kbit FRAM, 28p, I2C接口, 最长随机存取70ns, SOIC封装, 32K x 8
- RS 库存编号:
- 273-5303
- 制造商零件编号:
- FM18W08-SGTR
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥88,113.00
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 + | RMB88.113 | RMB88,113.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5303
- 制造商零件编号:
- FM18W08-SGTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 256Kbit | |
| 组织 | 32K x 8 | |
| 接口类型 | I2C | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 70ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 28 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 256Kbit | ||
组织 32K x 8 | ||
接口类型 I2C | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 70ns | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 28 | ||
Infineon FRAM 存储器是 32K x 8 非挥发性存储器,可读取和写入,类似于标准 SRAM。铁电性随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性,这意味着在断开电源后,细节将保留。它提供超过 151 年的数据保留,同时消除了电池支持 SRAM 的可靠性担忧、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐受性使 FRAM 优于其他类型的存储器。
符合 RoHS 标准
低功耗
SRAM 和 EEPROM 兼容
优于电池支持 SRAM 模块
耐负电压缺口
低功耗
SRAM 和 EEPROM 兼容
优于电池支持 SRAM 模块
耐负电压缺口