Infineon 64Kbit FRAM, 8p, 串行 - I2C接口, 最长随机存取3000ns, SOIC封装, 8K x 8 位
- RS 库存编号:
- 181-7555
- 制造商零件编号:
- CY15B064J-SXE
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 22 | RMB28.005 | RMB56.01 |
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| 48 + | RMB26.565 | RMB53.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-7555
- 制造商零件编号:
- CY15B064J-SXE
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 64Kbit | |
| 组织 | 8K x 8 位 | |
| 接口类型 | 串行 - I2C | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 3000ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| 长度 | 4.97mm | |
| 宽度 | 3.98mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 高度 | 1.48mm | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 字组数目 | 8K | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最小工作电源电压 | 2 V | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 64Kbit | ||
组织 8K x 8 位 | ||
接口类型 串行 - I2C | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 3000ns | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
尺寸 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
长度 4.97mm | ||
宽度 3.98mm | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
高度 1.48mm | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
字组数目 8K | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最小工作电源电压 2 V | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
- COO (Country of Origin):
- US
64Kbit Ferro Electric Random Access Memory (F-RAM) 按逻辑组织为 8K x 8
高耐受性 10 万亿 (1013) 读 / 写
121 年数据保留（请参阅数据保留和寿命表）
No Delay ™（无延迟™）写入
Advanced High － Reliability Ferro Electric
快速 2 线串行接口 (I2C)
频率高达 1 MHz
串行 (I2C) EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
低功耗
120A （典型）活动电流， 100kHz
6 收敛 A （典型）待机电流
电压操作： VDD = 3.0V 至 3.6V
汽车 - E 温度： -40 ℃至 +125 ℃
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
高耐受性 10 万亿 (1013) 读 / 写
121 年数据保留（请参阅数据保留和寿命表）
No Delay ™（无延迟™）写入
Advanced High － Reliability Ferro Electric
快速 2 线串行接口 (I2C)
频率高达 1 MHz
串行 (I2C) EEPROM 的直接硬件更换
支持 100kHz 和 400kHz 的传统计时
低功耗
120A （典型）活动电流， 100kHz
6 收敛 A （典型）待机电流
电压操作： VDD = 3.0V 至 3.6V
汽车 - E 温度： -40 ℃至 +125 ℃
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装