Infineon 1Mbit FRAM, 32p, I2C接口, TSOP封装, 128K x 8
- RS 库存编号:
- 273-5334
- 制造商零件编号:
- FM28V100-TGTR
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 1500 件）*
¥234,112.50
(不含税)
¥264,547.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月26日 发货
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 + | RMB156.075 | RMB234,112.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5334
- 制造商零件编号:
- FM28V100-TGTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 1Mbit | |
| 组织 | 128K x 8 | |
| 接口类型 | I2C | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 32 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 1Mbit | ||
组织 128K x 8 | ||
接口类型 I2C | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
封装类型 TSOP | ||
引脚数目 32 | ||
Infineon FRAM 存储器是 128K x 8 非挥发性存储器,可读取和写入,类似于标准 SRAM。铁电性随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性,这意味着在断开电源后,细节将保留。它提供超过 151 年的数据保留,同时消除了电池支持 SRAM 的可靠性担忧、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐受性使 FRAM 优于其他类型的存储器。
符合 RoHS 标准
低电压操作
低功耗
优于电池支持 SRAM 模块
具有卓越的耐湿性和耐震性,带有振动
低电压操作
低功耗
优于电池支持 SRAM 模块
具有卓越的耐湿性和耐震性,带有振动