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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB154.87 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5335
- 制造商零件编号:
- FM28V100-TGTR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | FRAM | |
| 存储器大小 | 1MB | |
| 组织 | 128k x 8 | |
| 数据总线宽度 | 8bit | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 32 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 最低电源电压 | 3V | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 最低工作温度 | 80°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 FRAM | ||
存储器大小 1MB | ||
组织 128k x 8 | ||
数据总线宽度 8bit | ||
包装类型 TSOP | ||
引脚数目 32 | ||
标准/认证 RoHS | ||
最高工作温度 125°C | ||
最低电源电压 3V | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
最大电源电压 3.6V | ||
最低工作温度 80°C | ||
Infineon FRAM 存储器是 128K x 8 非挥发性存储器,可读取和写入,类似于标准 SRAM。铁电性随机访问存储器或 FRAM 是非挥发性,这意味着在断开电源后,细节将保留。它提供超过 151 年的数据保留,同时消除了电池支持 SRAM 的可靠性担忧、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入计时和高写入耐受性使 FRAM 优于其他类型的存储器。
符合 RoHS 标准
低电压操作
低功耗
优于电池支持 SRAM 模块
具有卓越的耐湿性和耐震性,带有振动