Infineon 64Kbit FRAM, 28p, 并行接口, SOIC封装, 8K x 8

这种 Infineon FRAM 是一种 8 K x 8 的非易失性存储器，其读写功能与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器（FRAM）是非易失性的，这就是说，断电后仍会保留数据。它能可靠保留数据长达 151 年，同时消除电池供电 SRAM 的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。由于 FRAM 具备快速写入时序和写入高度耐久的特点，所以优于其他类型的存储器。其操作与其他 RAM 器件类似，因此可以直接取代系统中的标准 SRAM。最短读写周期时间相等。FRAM 存储器由于采用独特的铁电存储器工艺，因而具备非易失性。

低功耗
SRAM 和 EEPROM 兼容
高度耐用，支持 100 万亿读写
高度可靠的先进铁电工艺
出色的防潮、抗冲击和抗振保护