Renesas Electronics MOSFET驱动器, CMOS,TTL逻辑, SOIC, 2个驱动器, 8针, 9 → 14V电源
- RS 库存编号:
- 238-0035
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB35.16 | RMB70.32 |
| 50 - 98 | RMB34.12 | RMB68.24 |
| 100 - 248 | RMB33.10 | RMB66.20 |
| 250 - 998 | RMB32.105 | RMB64.21 |
| 1000 + | RMB31.135 | RMB62.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 238-0035
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 逻辑类型 | CMOS,TTL | |
| 电源电压 | 9 → 14V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
逻辑类型 CMOS,TTL | ||
电源电压 9 → 14V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 SOIC | ||
下降时间 10ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
驱动器数目 2 | ||
Renesas Electronics HIP2101 是一款高频率、100 V 半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器芯片。与 HIP2100 相当,具备完全 TTL/CMOS 兼容逻辑输入引脚的额外优势。与某些竞品不同,高压侧电源瞬时欠压后,其输出会恢复到正确状态。
驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项
自举电源最大电压直流 114 V
SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项
自举电源最大电压直流 114 V
