Renesas Electronics MOSFET MOSFET, SOIC-8, 8引脚 14 V, 2 A输出
- RS 库存编号:
- 263-6912
- 制造商零件编号:
- HIP2100IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
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- 263-6912
- 制造商零件编号:
- HIP2100IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 2A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 包装类型 | SOIC-8 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 20ns | |
| 最低电源电压 | 9V | |
| 最大电源电压 | 14V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.99 mm | |
| 长度 | 4.98mm | |
| 系列 | HIP2100 | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 2A | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 10ns | ||
包装类型 SOIC-8 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 20ns | ||
最低电源电压 9V | ||
最大电源电压 14V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.99 mm | ||
长度 4.98mm | ||
系列 HIP2100 | ||
高度 1.7mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Renesas Electronics 低成本、高频半桥 N 通道功率 MOSFET 驱动器 IC。低侧和高侧门驱动器可独立控制,并与 8ns 匹配。这使得用户在死亡时间选择和驱动程序协议方面获得最大的灵活性。低侧和高侧电源的欠压保护,将输出强制降低。
快速传播时间,用于多 MHz 电路
CMOS 输入阈值,可提高噪声抗扰性
独立输入,用于非半桥式拓扑
无启动问题