STMicroelectronics N型沟道, STGB3NC120HDT4 IGBT, Ic 14 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-263, 表面安装, 15 ns

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RS 库存编号:
151-939
制造商零件编号:
STGB3NC120HDT4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

14A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

75W

包装类型

TO-263

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

15ns

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.8V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

16mm

标准/认证

No

宽度

4.4 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 在低导电损耗和快速切换性能之间展示出出色的交换。它采用 Power MESH 技术设计,结合高电压超快二极管。

高压能力

高速

非常柔软的超快速恢复抗并行二极管