Infineon N沟道IGBT, 双个, Ic 450 A, VCEO 1200V, 3针, AG-62MMHB, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 284-960
- 制造商零件编号:
- FF450R12KE7HPSA1
- 制造商:
- Infineon
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¥1,722.16
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB1,722.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 284-960
- 制造商零件编号:
- FF450R12KE7HPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 450 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 封装类型 | AG-62MMHB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 450 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 2 | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
封装类型 AG-62MMHB | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌 IGBT 模块是一款 62 mm、1200 V、450 A 双低饱和快速沟槽式 IGBT 模块，带有 TRENCHSTOP IGBT7 和发射极控制二极管。现有的封装具有更高的电流能力，可在相同的框架尺寸下提高逆变器的输出功率。特别适用于三电平配置的 NPC2 拓扑。
最高功率密度
一流的 VCEsat
高爬电距离和间隙距离
隔离底板
标准机壳
符合 RoHS 标准
4 kV 交流 1 分钟 绝缘
一流的 VCEsat
高爬电距离和间隙距离
隔离底板
标准机壳
符合 RoHS 标准
4 kV 交流 1 分钟 绝缘