Infineon N型沟道, IKQ50N120CH7XKSA1 IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, PG-TO-247-3-PLUS-N, 通孔安装

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RS 库存编号:
284-993
制造商零件编号:
IKQ50N120CH7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

398W

包装类型

PG-TO-247-3-PLUS-N

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

长度

20.1mm

标准/认证

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

高度

5.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT 采用高速 1200V 沟槽截止 IGBT 7 技术,可为严苛应用提供卓越性能和高效能。该产品专为高速硬开关拓扑设计,确保可靠运行和卓越的热管理。凭借经过优化的布局,它不仅能够提供卓越的电流处理能力并降低开关损耗,同时还能确保符合最新标准。 此IGBT具有通用性,因此适用于工业UPS、电动汽车充电、组串式逆变器和焊接等多种应用。

采用沟槽截止 IGBT 7技术提升性能

提供低导通和开关损耗

针对高温环境提供稳健的热管理

符合RoHS标准,采用无铅镀层

全面的 PSpice 型号,用于模拟支持

符合JEDEC工业应用标准