Infineon N型沟道, IKQ50N120CH7XKSA1 IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, PG-TO-247-3-PLUS-N, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 284-994
- 制造商零件编号:
- IKQ50N120CH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-994
- 制造商零件编号:
- IKQ50N120CH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 398W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 标准/认证 | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 398W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.1mm | ||
长度 20.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
标准/认证 IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 采用高速 1200V 沟槽截止 IGBT 7 技术，可为严苛应用提供卓越性能和高效能。该产品专为高速硬开关拓扑设计，确保可靠运行和卓越的热管理。凭借经过优化的布局，它不仅能够提供卓越的电流处理能力并降低开关损耗，同时还能确保符合最新标准。 此IGBT具有通用性，因此适用于工业UPS、电动汽车充电、组串式逆变器和焊接等多种应用。
采用沟槽截止 IGBT 7技术提升性能
提供低导通和开关损耗
针对高温环境提供稳健的热管理
符合RoHS标准，采用无铅镀层
全面的 PSpice 型号，用于模拟支持
符合JEDEC工业应用标准