Infineon N型沟道, IKY120N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 160 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1, 通孔安装

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RS 库存编号:
285-017
制造商零件编号:
IKY120N65EH7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

160A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

498W

包装类型

PG-TO-247-4-PLUS-NN5.1

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

4

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

40°C

最高工作温度

175°C

长度

20.1mm

标准/认证

No

高度

5.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon IGBT 采用650V沟槽截止IGBT7技术,展现了先进的技术实力,专为高效能和最小开关损耗而设计。 该设备专为在各种应用中实现稳健性能而设计,涵盖工业UPS系统和电动汽车充电领域。其独特的结构确保低集电极-发射极饱和电压,有助于实现顺畅的开关行为,同时在严苛条件下保持可靠性。

高速运行可提升系统响应能力

低开关损耗可提高能效

湿度坚固性确保可靠的性能

针对硬开关应用进行了优化,用途广泛

全面的产品系列,可满足各种需求

柔性复位二极管可最大程度降低电气应力