onsemi N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 600 V, 130 ns, TO-3PF, UF系列

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145-4338
制造商零件编号:
FGAF40N60UFTU
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

100W

包装类型

TO-3PF

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

开关速度

130ns

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最高工作温度

150°C

宽度

23mm

标准/认证

AEC, RoHS

高度

5.45mm

长度

26.5mm

系列

UF

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor


IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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