onsemi N型沟道 IGBT, Ic 40 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-3PF, 通孔安装, 130 ns

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145-4338
制造商零件编号:
FGAF40N60UFTU
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

100W

包装类型

TO-3PF

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

130ns

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.3V

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

26.5mm

系列

UF

宽度

23 mm

高度

5.45mm

标准/认证

AEC, RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor


IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。