Infineon N沟道IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3针, PG-TO247

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RS 库存编号:
226-6110
制造商零件编号:
IKQ75N120CS6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

150 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

25V

晶体管数

1

最大功率耗散

880 W

封装类型

PG-TO247

配置

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon 5 A IGBT 带反并联二极管,是非常柔软,快速恢复的反并联二极管,具有高坚固性,温度稳定行为。它使用低栅极电荷。

低 EMI
低栅极电荷 QG
低饱和电压 (如果为 1.85 V) ,结合低切换损耗

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。