Infineon N沟道IGBT, Ic 41 A, VCEO 600 V, 3针, TO-220, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 170-2258
- 制造商零件编号:
- IKP20N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB14.654 | RMB732.70 |
| 100 - 150 | RMB14.214 | RMB710.70 |
| 200 + | RMB13.788 | RMB689.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2258
- 制造商零件编号:
- IKP20N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 41 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 166 W | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 0.77mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 41 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 166 W | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 0.77mJ | ||
Infineon IGBT
Infineon IGBT 是一款 3 针 N 通道 TO-220 通孔安装晶体管。它的额定电流为 41A 、额定电压为 600V 3rd 代反向导电 IGBT 、优化用于降低开关和传导损耗。其软切换行为可实现更好的性能和 EMI 行为。借助这款晶体管、可以以更低的成本实现卓越的性能。
特点和优势
•经济高效
• 高效
•低 EMI 排放
•低切换损耗
•最低的 V CE (SAT) 下降可降低传导损耗
•最大功耗为 166W
•工作温度范围在 -40°C 至 175°C 之间
•降低功耗
•浪涌电流能力
•非常柔软、快速恢复的反并行发射器控制二极管
• 高效
•低 EMI 排放
•低切换损耗
•最低的 V CE (SAT) 下降可降低传导损耗
•最大功耗为 166W
•工作温度范围在 -40°C 至 175°C 之间
•降低功耗
•浪涌电流能力
•非常柔软、快速恢复的反并行发射器控制二极管
应用
• 家用电器
•感应烹饪炉
• 工业驱动器
•微波炉
•电饭煲
• UPS
• 焊接
•感应烹饪炉
• 工业驱动器
•微波炉
•电饭煲
• UPS
• 焊接
认证
• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
• BS EN 61340-5-1 : 2007
