Infineon N型沟道 IGBT, Ic 41 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-220, 通孔安装

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RS 库存编号:
170-2371
制造商零件编号:
IKP20N60TXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

41A

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

166W

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.05V

最高工作温度

175°C

标准/认证

Pb-Free, JEDEC, RoHS

系列

TrenchStop

额定能量

0.77mJ

汽车标准

通过将沟槽栅顶层单元与视场光阑概念相结合,Infineon 的 TRENCHSTOP™ IGBT 技术可显著提高设备的静态和动态性能。将 IGBT 与软恢复发射器控制二极管相结合,进一步减少了开启损耗。由于切换和传导损耗之间的最优平衡,可达到最高效率

V ce(sat) 压降极低,实现更低传导损耗

低切换损耗

由于 V ce(sat) 呈正温度系数,易于实现并联开关功能

恢复响应极其柔和快速的防并联发射器控制二极管

坚固耐用,温度稳定性出色

电磁干扰辐射低

低栅极电荷

非常紧密的参数分布

优点:

最高效率 – 低传导和切换损耗

品类齐全(600 V 和 1200 V),确保设计灵活性

高设备可靠性

目标应用:

UPS

太阳能逆变器

主要家用电器

焊接

空调

工业驱动器

其他硬切换应用