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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | RMB3.677 | RMB7,354.00 |
| 10000 + | RMB3.604 | RMB7,208.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7411
- 制造商零件编号:
- SUD08P06-155L-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大功耗 Pd | 20.8W | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 6.73 mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 标准/认证 | RoHS-compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 IGBT | ||
最大功耗 Pd 20.8W | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 P型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.22mm | ||
宽度 6.73 mm | ||
高度 2.38mm | ||
标准/认证 RoHS-compliant | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 P 沟道，异径 252-3 封装，是一种具有 60V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 52mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 20.8W。 它可用于便携式设备的负载开关。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET