STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, 1 MHz, TO-247, Trench Gate Field Stop系列

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RS 库存编号:
206-7210
制造商零件编号:
STGWA20H65DFB2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

147W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

开关速度

1MHz

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

系列

Trench Gate Field Stop

标准/认证

No

汽车标准

否

STMicroelectronics 沟道场截止、 650 v 、 20 a 、高速 HB2 系列的栅极、以模块化 -247 长引线封装提供。

最大接点温度： tj = 175 °c

低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 20 a

非常快速且软恢复的共封二极管

最小化尾电流

严格的参数分布

低热阻

正 vce （ sat ）温度系数

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