Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 90 A, VCEO 600 V, TO-263, TRENCHSTOPTM系列
- RS 库存编号:
- 215-6630
- 制造商零件编号:
- IGB50N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 2 件）*
RMB72.43
(不含税)
RMB81.846
(含税)
有库存
- 2,852 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | RMB36.215 | RMB72.43 |
| 250 - 498 | RMB35.13 | RMB70.26 |
| 500 + | RMB34.085 | RMB68.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6630
- 制造商零件编号:
- IGB50N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 90A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC1 | |
| 系列 | TRENCHSTOPTM | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大连续集电极电流 Ic 90A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC1 | ||
系列 TRENCHSTOPTM | ||
汽车标准 否 | ||
采用 Infineon 封边带
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
相关链接
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 26 A, VCEO 600 V, TO-263, TRENCHSTOPTM系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 90 A, VCEO 600 V, TO-263, TRENCHSTOPTM系列
- Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 26 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-263, 表面安装
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 12 A, VCEO 600 V, TO-252, TRENCHSTOPTM系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 80 A, VCEO 600 V, TO-263, TRENCHSTOPTM系列
- Infineon IGBT, Ic 24 A, VCEO 600 V, TO-263, TRENCHSTOPTM系列
- Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO-263, TRENCHSTOPTM5系列
- Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 53 A, VCEO 600 V, TO-247, TRENCHSTOPTM Advanced Isolation系列